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本发明提供一种半导体衬底清洗方法及调整方法，在半导体衬底清洗方法中，通过获取识别缺口与污染区之间的间隔角度，然后将所述半导体衬底竖直放置于一清洗槽内，并通过所述间隔角度定义所述识别缺口在所述清洗槽内的位置，以使所述识污染区位于所述清洗槽内的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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