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本发明提供了一种基于小波密度估计模型改进的半导体激光器退化预测方法，基于等时间间隔监测得到的半导体激光器的性能参数退化数据，对退化增量的概率分布进行小波密度估计，并建立多种随机过程模型；基于小波变换将建立的多种随机过程中的退化增量概率密度函...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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