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本发明涉及一种半球万向敏感压电冲击传感器。该半球万向敏感压电冲击传感器通过电射流微纳打印技术,将所述半球陶瓷厚膜打印至所述半球底座的半球表面;所述半球陶瓷厚膜与所述半球底座为一体化结构。采用本发明所提供的半球万向敏感压电冲击传感器能够简化敏...该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种半球万向敏感压电冲击传感器。该半球万向敏感压电冲击传感器通过电射流微纳打印技术,将所述半球陶瓷厚膜打印至所述半球底座的半球表面;所述半球陶瓷厚膜与所述半球底座为一体化结构。采用本发明所提供的半球万向敏感压电冲击传感器能够简化敏...