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本实用新型公开了一种硅基应力协变衬底及应用该硅基应力协变衬底的垂直结构氮化镓LED；其中硅基应力协变衬底包括：一双面抛光硅单晶基底；一薄氮化锆导电反光应力协变层，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度为50nm...该专利属于南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所授权不得商用。