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四维忆阻HR神经元模型电路制造技术
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文档序号:24733559
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本实用新型公开了一种四维忆阻HR神经元模型电路,包括第一积分通道、第二积分通道和第三积分通道,其中,第一积分通道包括一次项非理想忆阻。本实用新型通过引入一次项非理想忆阻模拟神经元受到的外部刺激,能够展现出复杂的动力学行为,特别是双稳定性现象...
该专利属于常州星宇车灯股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州星宇车灯股份有限公司授权不得商用。
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