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本发明揭示了一种晶片干燥方法，包括：当晶片完全位于液面之下时，向液面以及上方空间喷洒冲洗液蒸汽以及干燥气体；以预定的速度将晶片抬升出液面，当晶片开始高于液面时，停止喷洒冲洗液蒸汽，仅仅喷洒干燥气体；在晶片抬升至离开液面的过程中，始终喷洒干燥...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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