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一种晶片的干燥方法，其特征在于，包括步骤：　将晶片放置在片架上；　将所述片架置于干燥器水槽内的去离子水中；　向所述干燥器内通入氮气；　提升所述片架；　当所述片架提升至所述晶片完全露出水面后，保持片架静止，并且继续通入氮气；　停止通入氮气，取...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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