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本发明提供一种低导通电阻低压槽栅MOS器件的制造方法，通过对外延片的热扩散过程，将外延片衬底中的杂质扩散到外延层中，使外延层底部杂质变成线性或准线性的缓变分布，在保持外延层一定的耐压能力的同时，极大地降低了外延层的导通电阻。相比于传统方法，...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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