温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种碳化硅元器件的掺杂方法及其制备方式，包括以下步骤：S1、提供半导体衬底,并对所述半导体衬底进行预处理，S2、于预处理后的所述半导体衬底表面生长外延层并于所述外延层外表面淀积一定厚度二氧化硅掩膜，S3、对所述二氧化硅掩膜进行刻...
该专利属于江苏长晶科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏长晶科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。