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本发明提供一种磁性存储器阵列及读写控制方法，阵列包括多个磁性存储器单元，磁性存储器单元包括第一开关、第二开关、第一位单元及第二位单元，两位单元共用一自旋轨道转矩层，两位单元通过自旋轨道转矩层分别与相邻的两条位线连接，两位单元通过第一开关和第...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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