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本发明公开了一种磁电复合薄膜及其制备方法。该磁电复合薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极层、AlN压电层、Ta隔离层和FeGaN磁致伸缩层，其中所述FeGaN磁致伸缩层是在用磁控溅射法制备的FeGa材料上采用氮离子注入法形...
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