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本发明涉及一种低温等离子硫化制备硫化锑薄膜的方法，属于光电功能材料技术领域。本发明先制备金属锑、氧化锑或氢氧化锑的薄膜，再采用低温等离子发生器对固体硫源进行低温等离子化形成等离子态硫，等离子态硫对薄膜进行低温等离子硫化处理得到硫化锑薄膜。本...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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