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高功率放大器的线性增强制造技术
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文档序号:24692021
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本公开涉及高功率放大器的线性增强。一种射频(RF)放大器电路包括场效应晶体管(FET)(例如属于III‑V FET增强群组的FET),其中所述FET包括耦合到RF输入节点的栅极端。所述电路另外包括耦合于偏压电压节点与所述RF输入节点之间的预...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。
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