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一种GaAs基量子点激光器的制备方法，通过三次生长N波导层，生长第二N波导层时相对生长第一N波导层的Ga通入量提高，而生长第三N波导层时相对第二N波导层时降低，通过三次生长P波导层，生长第二P波导层时相对生长第一P波导层的Ga通入量提高，而...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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