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本发明公开了一种SiP层状材料及其制备方法和应用,该材料为层状微米带,长达数十微米,宽1‑2微米,结晶性高,其制备方法为将硅和磷单质按照一定比例充分混合均匀,加入输运剂,在真空条件下高温煅烧得到SiP材料。本发明制备得到的SiP层状材料为明...该专利属于中国科学院深圳先进技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院深圳先进技术研究院授权不得商用。
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本发明公开了一种SiP层状材料及其制备方法和应用,该材料为层状微米带,长达数十微米,宽1‑2微米,结晶性高,其制备方法为将硅和磷单质按照一定比例充分混合均匀,加入输运剂,在真空条件下高温煅烧得到SiP材料。本发明制备得到的SiP层状材料为明...