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本发明提供一种磁隧道结、存储单元以及磁随机存储器，在原先基于自旋转移矩电流的磁隧道结基础上外加一层自由层相变的调节层(相变层)。在具体器件中，通过外加光照，驱动相变层的相变，进而调控自由层的各向异性场，最终实现自旋电子器件性能的调控。当外加...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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