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本发明提供的一种测试结构及半导体器件，所述测试结构包括第一掺杂类型区和第二掺杂类型区，所述第一掺杂类型区包括至少一个掺杂深度的子区域，每个子区域具有至少一个第一有源区；所述第二掺杂类型区，包括至少一个掺杂深度的子区域，每个子区域具有至少一个...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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