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本发明涉及沟槽梯度侧氧结构及其制备方法与半导体器件。所述沟槽梯度侧氧结构的制备方法包括：a)在硅片的表面形成掩膜层，所述掩膜层形成有沟槽定义区；b)对所述沟槽定义区进行刻蚀，形成沟槽，并去除所述掩膜层；c)在所述沟槽的表面形成至少一层包覆层...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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