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本申请公开了一种氮化铝半导体薄膜的制作方法及其结构，涉及半导体设备成膜领域，包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底的一侧形成铝金属层；铝金属层进行氮化处理，生成第一氮化铝薄膜；在第一氮化铝薄膜远离蓝宝石衬底的一侧生成第二氮化铝薄膜；对具有第一氮...
该专利属于江西新正耀光学研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西新正耀光学研究院有限公司授权不得商用。

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