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本申请涉及二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管。公开了一种具有减小的寄生电容的二极管。特别地，公开了用于提供RF电路对诸如ESD、电压尖峰、电涌或其他噪声之类的高功率噪声事件的快速响应保护的二极管。与现有技术相比，所公开的电路中的寄...
该专利属于意法半导体国际有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际有限公司授权不得商用。

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