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一种敏感电阻压力传感器芯片及加工方法,它包括有:在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片,敏感电阻及压焊点,技术要点是:在硅膜片的内部设置有金刚石敏感电阻,硅膜片与金刚石敏感电阻的侧壁间隔一层用于金刚石敏感电阻与衬底之间绝缘的氧化层;金刚石敏感电阻下...该专利属于沈阳仪表科学研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过沈阳仪表科学研究院有限公司授权不得商用。
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一种敏感电阻压力传感器芯片及加工方法,它包括有:在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片,敏感电阻及压焊点,技术要点是:在硅膜片的内部设置有金刚石敏感电阻,硅膜片与金刚石敏感电阻的侧壁间隔一层用于金刚石敏感电阻与衬底之间绝缘的氧化层;金刚石敏感电阻下...