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本发明公开了一种从高硅铝合金中获得块体硅的方法，属于太阳能级多晶硅技术领域。在采用感应加热区域熔炼实现初生硅分离的基础上，去除铝富集部分后再次区熔，经过多次区域熔炼，硅在试样底部的富集程度逐渐提高，最终便能获得块体硅；具体为采用工业硅和工业...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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