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本发明涉及一种AlN籽晶精确扩径的装置及方法，属于晶体生长领域。操作简单，效率高，根据需要制作相应尺寸的AlN晶体。AlN籽晶精确扩径的装置包括石墨加热器、坩埚和生长组合，坩埚位于石墨加热器的内部，生长组合位于坩埚的内部，碳化硅籽晶垫圈与坩...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。