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不使截止耐压降低而制造碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备：在第1导电类型的碳化硅半导体层(2、3、7)的表层部分地形成的第2导电类型的第2扩散层(9)、至少在第2扩散层的表层的一部分形成的第2导电类型的第3扩散层(19)以及在第3扩散层...
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