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本发明公开了制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统。其中，制备区熔用电子级多晶硅的方法包括：(1)将三氯氢硅和氢气供给至反应器中进行第一阶段反应；(2)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅，进行第二阶段反应；(3)继续向所述反应器中...
该专利属于江苏鑫华半导体材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鑫华半导体材料科技有限公司授权不得商用。

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