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本发明公开了一种半导体元件及其制备方法。所述半导体元件包括电阻式存储器RRAM结构单元以及形成于所述RRAM结构单元的侧壁上的保护层;所述RRAM结构单元包括由下而上依次设置的底部电极、电介质层、以及顶部电极;所述保护层包括至少一层金属氧化...该专利属于厦门半导体工业技术研发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门半导体工业技术研发有限公司授权不得商用。
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