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本发明提供了一种MRAM中底电极的制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上设置金属导线层，金属导线层包括多个间隔设置的金属导线部，并在金属导线层表面顺序形成第一扩散阻挡层与介电层；在介电层中形成多个与金属导线层相连的电极通孔，各电极通孔与...
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