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本申请公开了一种单芯片白光LED的制备方法，包括：在衬底上刻蚀对位光刻标记点；依次生长GaN或AlN成核层、非故意掺杂GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；生长不同发光波长的有源区发光层；生长p型GaN层得到多区域不同发光波长的LED外延片；...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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