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本发明公开了一种单电子传输雪崩光电二极管结构，包括衬底,在衬底上依次生长有P型InAlGaAs接触层、P型InGaAs吸收层、非故意掺杂InGaAlAs渐变层、P型InAlAs场控层、非故意掺杂InAlAs倍增层、N型InAlAs场控层、N...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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