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本发明提供了一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括有源区和终端区，有源区和终端区均具有衬底，终端区环绕有源区设置，终端区包括：场限环，位于衬底中，且场限环与衬底的导电类型相反；场隔离结构，位于衬底上，且场隔离结构包括沿远离衬底...
该专利属于河南省丽晶美能电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南省丽晶美能电子技术有限公司授权不得商用。

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