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本发明提供一种低开启电压和低导通电阻的碳化硅二极管及其制作方法，包括阴极金属电极、阴极金属电极上方的N+衬底、N+衬底上方的N‑漂移区；N‑漂移区上方的P型屏蔽埋层、P型屏蔽埋层内部的P+欧姆接触区、P+欧姆接触区上方的阳极金属电极、P型屏...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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