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本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括有源层，所述有源层包括氧化物半导体薄膜，所述氧化物半导体薄膜包括非晶相和晶相，在本申请中，所述有源层采用晶相和非晶相形成，提高了有源层的离子迁移率，并，降低了的能耗，从而提高了有源层的电学...
该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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