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本发明涉及一种大功率瞬态电压抑制器及其制造方法，大功率瞬态电压抑制器采用P型衬底硅片，在现有大功率瞬态电压抑制器（TVS）结构基础上，在P型衬底与P型外延之间增加了N+埋层，深N+多晶硅或深N+区与N+埋层连接，通过深N+多晶硅或深N+区/...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

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