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本发明公开了一种集成电路的顶层铜工艺结构，顶层铜通过大马士革工艺形成于顶层层间膜中。顶层铜和顶层层间膜的表面依次形成有掺碳氮化硅层和阻障层，阻障层的防水性大于掺碳氮化硅层的防水性。在阻障层的表面形成有顶部结构，顶部结构中包括采用SiH4基反...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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