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本发明一种芯片TSV通孔刻蚀结构，包括芯片晶圆和从芯片晶圆正面自上而下形成的TSV通孔；芯片晶圆包括硅衬底和覆盖设置在硅衬底上部的表面绝缘介质层；TSV通孔包括设在表面绝缘介质层中的TSV通孔绝缘层开口，以及设在硅衬底中的TSV通孔硅衬底开...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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