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本发明涉及一种硅刻蚀机，涉及半导体集成电路制造技术，包括腔体；吸盘和边缘控制环，吸盘和边缘控制环位于腔体内，吸盘用于承载晶圆，边缘控制环环绕设置在吸盘的外围，且于放置晶圆的一侧，边缘控制环与吸盘之间具有一台阶；升降装置，升降装置位于腔体内，...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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