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本发明公开了一种用于半导体制造工艺中的光刻胶剥离去除方法，包括在半导体衬底上淀积介质层；旋涂光刻胶并曝光显影，形成光刻图形阻挡层；执行离子注入：采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀，对光刻胶进行干法剥离；对衬底表面进行清洗。本发明采用氮氢混合气体...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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