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一种横向结二极管装置(110)包含至少具有半导体表面的衬底(105)。耗尽型LDMOS装置(130)处于所述半导体表面中，所述耗尽型LDMOS装置包含源极(131)、漏极和栅极电介质(134)上方的栅极(133)、在所述栅极(133)下方的...
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