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用于在外延沉积之前进行表面制备的方法和设备技术
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文档序号:24505965
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在预处理过程中,氢等离子体用于从晶片的表面去除污染物(例如氧、碳)。氢等离子体可以通过细长的注入器喷嘴注入等离子体腔室。使用这种细长的注入器喷嘴,具有显著径向速度的氢等离子体流在晶片表面上流动,并将挥发性化合物和其他污染物从晶片表面传输到排...
该专利属于艾克斯特朗欧洲公司所有,仅供学习研究参考,未经过艾克斯特朗欧洲公司授权不得商用。
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