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本发明的主题是通过1)研磨硅以形成硅颗粒，其中研磨是在氧化气氛或在氧化介质中进行的和/或将通过研磨获得的硅颗粒暴露于氧化气氛，和2)在300℃至1100℃的温度下、在惰性气体气氛中或在降低的压力下热处理在步骤1)中获得的硅颗粒，以用于制备具...
该专利属于瓦克化学股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦克化学股份公司授权不得商用。

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