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本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种薄膜体声波滤波器的膜层结构及其制备方法；所述膜层结构包括硅晶圆衬底，在所述硅晶圆衬底的中央开设有空腔，在所述硅晶圆衬底上依次制备支撑层、下电极、压电层、上电极、保护层以及加厚层；所述下电极...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。

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