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本发明提供了IGBT芯片及半导体功率模块，IGBT芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；在第一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，工作区域的第一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，第三发射极单元...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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