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本发明公开了一种高品质半导体硅材料耗材生长方法，包括化料、晶体生长、等径生长、冷却的步骤。其中采用在坩埚下方来制造过冷度，避免了坩埚上方热场件上的沉积物散落进坩埚内的可能，避免造成污染，提高晶体品质；整个晶体生长过程中，通过下降坩埚以及控制...
该专利属于南京晶升能源设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶升能源设备有限公司授权不得商用。

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