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本发明提供一种晶棒切片方法，所述方法包括：步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池中，所述电解池中设置有包含一线状电极的阴极；步骤S2：调整所述晶棒与所述阴极之间的相对位置，以使所述晶棒的轴向与所述线状电极的长度方向交叉设置，并且所...该专利属于上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。