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电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶制备方法技术
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文档序号:24483896
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本发明公开了一种基于电子束增材制造的高熵或中熵合金微柱状晶的制备方法,方法包括以下步骤:打磨基材平整后,将基材放置于电子束增材制造装置的加工仓中且抽真空,电压55‑70kV及束流2‑6mA的电子束对基材的预加工区域预热15s,将高熵或中熵合...
该专利属于西安交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安交通大学授权不得商用。
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