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本发明属于高纯材料制备领域，具体为一种制备6N高纯硫的方法。该方法以98％‑98.5％的工业硫为原料，步骤为：1)将石英外管装入蒸馏炉炉膛内，接上冷却水；2)将原料硫装入石英料斗内后将料斗装入石英外管底部；3)将3个石英锥形管装入石英外管内...
该专利属于峨嵋半导体材料研究所所有，仅供学习研究参考，未经过峨嵋半导体材料研究所授权不得商用。

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