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本发明公开了一种p型SiGe‑SiMo复合材料的制备方法，该方法通过在传统的SiGe热电材料中掺杂SiMo制备出新型p型SiGe‑SiMo复合材料，该复合材料较传统p型SiGe具有更高的电导率、Seebeck系数、功率因子以及热电优值，且该...
该专利属于中国工程物理研究院核物理与化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院核物理与化学研究所授权不得商用。

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