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本发明提供了一种提高抗静电能力及发光效率的LED外延生长方法，具体如下：步骤1、处理衬底；步骤2、在衬底上生长低温缓冲层氮化镓层；步骤3、生长不掺杂的氮化镓层；步骤4、生长复合N型层；步骤5、生长多量子阱发光层；步骤6、生长掺杂铝和镁的电子...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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