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本发明涉及一种用于制造包括基于锗的光电二极管阵列的光电器件(1)的方法，其包括以下步骤：制造由锗制成的半导体层(11、12)的堆叠；制造沟槽(13)；沉积由硅制成的钝化本征半导体层(30)；退火，针对每个光电二极管(2)确保钝化半导体层(3...
该专利属于原子能和替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能和替代能源委员会授权不得商用。

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