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本发明涉及一种沟槽栅型IGBT半导体器件，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；沟槽发射极，位于所述第二导电类型的漂移区内，且位于所述沟槽栅极一侧，与所述沟...
该专利属于广东芯聚能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东芯聚能半导体有限公司授权不得商用。

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